UnivDatosの新しいレポートによると、 ワイドバンドギャップ半導体市場は、 予測期間（2025～2033年）に13.2%のCAGRで成長し、2033年には100万米ドルに達すると予想されています。WBG 半導体市場は、多くのエンドユーザー産業において効率、性能、電力処理能力を向上させる能力により、顕著な成長を遂げています。さらに、自動車、民生用電子機器、産業オートメーション、通信部門などのエンドユーザー産業における高効率システムへの移行も、急速な採用を後押ししています。炭化ケイ素（SiC）や 窒化ガリウム （GaN）などのWBG材料は、従来のシリコンベースの半導体よりも高い電圧、温度、周波数をサポートしているため、リアルタイム3Dイメージング、深度センシング、精密制御などの機能を可能にします。これは、顔認識、ジェスチャーコントロール、環境マッピング、自律走行車のLIDARなどのアプリケーションの実現に役立ちます。これらは主要な需要源です。業界が小型化と性能効率化を進める中、WBG 半導体は次世代設計においてその価値を証明しています。
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業界を変革するセグメント
- 材料タイプに基づいて、世界のワイドバンドギャップ半導体市場は、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、その他に分類されます。これらのうち、シリコンカーバイドは大きな市場シェアを占めています。シリコンカーバイドは、高い熱伝導率、高いエネルギー効率、高電圧・高温での動作など、優れた性能により大きな市場シェアを占めています。こうしたことから、ワイドバンドギャップ半導体は電気自動車や産業システム向けに広く求められています。電気自動車の普及と省エネ技術への注目により、世界の主要市場におけるSiCベースの半導体需要はさらに高まっています。
レポートによると、交通機関の電動化は市場成長の主要な原動力とされています。その影響は以下のように現れています。
交通機関の電動化は、世界的なワイドバンドギャップ半導体市場を牽引する主要な要因の一つです。自動車産業が内燃機関から電気自動車へと移行するにつれ、より効率的でコンパクト、そして信頼性の高いパワーエレクトロニクスへの需要が高まっています。炭化ケイ素や窒化ガリウムなどのワイドバンドギャップ材料は、従来のシリコンベースの半導体よりも技術的にはるかに優れています。シリコンベースの半導体と比較すると、これらの材料は高い破壊電圧、熱伝導率、スイッチング速度を備えており、これらはすべて高出力 EVシステムに必要な特性です。
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SiCおよびGaN素子は、EVインバータ、オンボードチャージャー、DC-DCコンバータにおいて、エネルギー損失の低減とバッテリー寿命の延長を目的として、現在では一般的に使用されています。温度と電圧の上昇により、これらのシステムはさらに小型・軽量化され、車両の効率が向上し、冷却要件も軽減されます。
世界各国の政府がEVへのインセンティブを提供し、厳しい規制を施行している中で、
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